電子產(chǎn)業(yè)之所以能夠蓬勃發(fā)展，表面貼焊技術(
SMT, Surface Mount Technology)的發(fā)明及精進佔有極大程度的貢獻。而回流焊(Reflow)又是表面貼焊技術中最重要的技術之一。這裡我們就試著來解釋一下回流焊的一些技術與溫度設定的問題。
(▲ Soaking type 典型浸潤式回流焊溫度曲線)
(▲ Slumping type 斜升式回流焊溫度曲線)
回流焊的溫度曲線共包括了預熱、吸熱、回流焊和冷卻等四個區(qū)塊，以下為個人的心得整理，如果有誤也請各位先進不吝指教。
預熱區(qū)(Pre-heat zone)
預熱區(qū)通常是指由溫度由常溫升高至150°C左右的區(qū)域﹐在這個區(qū)域﹐溫度緩升以利錫膏中的部分溶劑及水氣能夠及時揮發(fā)﹐電子零件（特別是IC零件）緩緩升溫﹐為適應后面的高溫預作淮備。但
PCB表面的零件大小不一﹐吸熱裎度也不一，為了避免零件內外或不同零件間有溫度不均勻的現(xiàn)象﹐所以預熱區(qū)升溫的速度通常控制在1.5°C～3°C/sec之間。預熱區(qū)均勻加熱的另一目的，是要使錫膏中的溶劑可以適度的揮發(fā)并活化助焊劑，因為大部分助焊劑的活化溫度大約落在150°C上下。
快速升溫有助快速達到助焊劑軟化的溫度，因此助焊劑可以快速地擴散并覆蓋到最大區(qū)域的焊點，它可能也會讓一些活化劑融入實際合金的液體中。可是，升溫如果太快﹐由于熱應力的作用﹐可能會導致陶瓷電容的細微裂紋(micro crack)、PCB受熱不均而產(chǎn)生變形(Warpage)、空洞或IC晶片損壞﹐同時錫膏中的溶劑揮發(fā)太快﹐也會導致塌陷產(chǎn)生的危險。
較慢的溫度爬升則允許更多的溶劑揮發(fā)或氣體逃逸，它也使助焊劑可以更靠近焊點，減少擴散及崩塌的可能。但是升溫太慢也會導致過度氧化而降低助焊劑的活性。
爐子的預熱區(qū)一般佔加熱通道長度的1/4—1/3﹐其停留時間計算如下﹕假設環(huán)境溫度為25°C﹐若升溫斜率按照3°C/sec計算則（150-25）/3即為42sec﹐如升溫斜率按照1.5°C/sec計算則（150-25）/1.5即為85sec。通常根據(jù)組件大小差異程度調整時間以調控升溫斜率在2°C/sec以下為最佳。
另外還有幾種不良現(xiàn)象都與預熱區(qū)的升溫有關系，下面一一說明：
1. 塌陷：
這主要是發(fā)生在錫膏融化前的膏狀階段，錫膏的黏度會隨著溫度的上升而下降，這是因為溫度的上升使得材料內的分子因熱而震動得更加劇烈所致；另外溫度迅速上升會使得溶劑(Solvent)沒有時間適當?shù)負]發(fā)，造成黏度更迅速的下降。正確來說，溫度上升會使溶劑揮發(fā)，并增加黏度，但溶劑揮發(fā)量與時間及溫度皆成正比，也就是說給一定的溫升，時間較長者，溶劑揮發(fā)的量較多。因此升溫慢的錫膏黏度會比升溫快的錫膏黏度來的高，錫膏也就必較不容易產(chǎn)生塌陷。
2. 錫珠：
迅速揮發(fā)出來的氣體會連錫膏都一起往外帶，在小間隙的零件下會形成分離的錫膏區(qū)塊，回流焊時分離的錫膏區(qū)塊會融化并從零件底下冒出而形成錫珠。
3. 錫球：
升溫太快時，溶劑氣體會迅速的從錫高中揮發(fā)出來并把飛濺錫膏所引起。減緩升溫的速度可以有效控制錫球的產(chǎn)生。但是升溫太慢也會導致過度氧化而降低助焊劑的活性。
4. 燈蕊虹吸現(xiàn)象：
這個現(xiàn)象是焊料在潤濕引腳后，焊料從焊點區(qū)域沿引腳向上爬升，以致焊點產(chǎn)生焊料不足或空銲的問題。其可能原因是錫膏在融化階段，零件腳的溫度高于PCB的銲墊溫度所致。可以增加PCB底部溫度或是延長錫膏在的熔點附近的時間來改善，最好可以在焊料潤濕前達到零件腳與焊墊的溫度平衡。一但焊料已經(jīng)潤濕在焊墊上，焊料的形狀就很難改變，此時也不在受溫升速率的影響。
5. 潤濕不良：
一般的潤濕不良是由于焊接過程中錫粉被過度氧化所引起，可經(jīng)由減少預熱時錫膏吸收過多的熱量來改善。理想的回流焊時間應儘可能的短。如果有其他因素致加熱時間不能縮短，那建議從室溫到錫膏熔點間採線性溫度，這樣回流焊時就能減少錫粉氧化的可能性。
6. 虛焊或“枕頭效應”(Head-In-Pillow)：
虛焊的主要原因可能是因為燈蕊虹吸現(xiàn)象或是不潤濕所造成。燈蕊虹吸現(xiàn)象可以參照燈蕊虹吸現(xiàn)象的解決方法。如果是不潤濕的問題，也就是枕頭效應，這種現(xiàn)象是零件腳已經(jīng)浸入焊料中，但并未形成真正的共金或潤濕，這個問題通常可以利用減少氧化來改善，可以參考潤濕不良的解決方法。
7. 墓碑效應及歪斜：
這是由于零件兩端的潤濕不平均所造成的，類似燈蕊虹吸現(xiàn)象，可以藉由延長錫膏在的熔點附近的時間來改善，或是降低升溫的速率，使零件兩端的溫度在錫膏熔點前達到平衡。另一個要注意的是PCB的焊墊設計，如果有明顯的大小不同、不對稱、或是一方焊墊有接地(ground)又未設計熱阻(thermal thief)而另一方焊墊無接地，都容易造成不同的溫度出現(xiàn)在焊墊的兩端，當一方焊墊先融化后，因表面張力的拉扯，會將零件立直(墓碑)及拉斜。
8. 空洞(Voids)：
主要是因為助焊劑中的溶劑或是水氣快速氧化，且在焊料固化前未即時逸出所致。
吸熱區(qū) (Soak zone)
一般將這個區(qū)域翻譯成「浸潤區(qū)」，但經(jīng)白老師糾正，正確的名稱應該叫「吸熱區(qū)」，也稱「活性區(qū)」﹐在這段幾近恒溫區(qū)的溫度通常維持在150±10°C的區(qū)域﹐斜昇式的溫度通常落在150～190°C之間，此時錫膏正處于融化前夕﹐焊膏中的揮發(fā)物會進一步被去除﹐活化劑開始啟動﹐并有效的去除焊接表面的氧化物﹐PCB表面溫度受熱風對流的影響﹐讓不同大小、質地不同的零組件溫度能保持均勻溫度﹐板面溫度差△T接近最小值。
（如果PCB上的零件簡單，沒有太多複雜的零件，如BGA或大顆容易或不易吸熱零件，也就是說零件間的溫度可以輕易達到均勻，建議使用「斜昇式曲線」。現(xiàn)代科技進步，有些回流焊爐的效率好，可以快速均勻所有零件的溫度，也可以考慮「斜昇式曲線」。「斜昇式曲線」的優(yōu)點是希望確保錫膏融錫時所有焊點同時融錫，已達到最佳的焊接效果。）
溫度曲線形態(tài)接近水平狀﹐它也是評估回流焊爐工藝的一個窗口﹐選擇能維持平坦活性溫度曲線的爐子將可提高焊接的效果﹐特別是防止立碑缺陷的產(chǎn)生，因為較不易造成融錫不一的時間差，零件兩端也就比較不會有應力不同的問題。
恒溫區(qū)通常在爐子的2﹐3區(qū)之間﹐時間維持約為60～120s﹐若時間過長會導致松香過度揮發(fā)，并造成錫膏過度氧化的問題﹐在回流焊接時失去活性和保護功能，以致焊接后造成虛焊、焊點殘留物發(fā)黑、焊點不光亮等問題。
此區(qū)域的溫度如果升溫太快，錫膏中的松香(助焊劑)就會迅速膨脹揮發(fā)，正常情況下，松香應該會慢慢從錫膏間的縫隙逸散，當松香揮發(fā)的速度過快時，就會發(fā)生氣孔、炸錫、錫珠等品質問題。
回流焊區(qū)(Reflow zone)
回流焊區(qū)是整段回流焊溫度最高的區(qū)域﹐通常也叫做「液態(tài)保持時間(TAL, time above liquids)」。此時焊料中的錫或鎳與焊墊上的銅由于擴散作用而形成金屬間的化合物Cu5sn6或Ni3Sn4。以OSP的表面處理為例﹐當錫膏融化后﹐會迅速潤濕銅層﹐錫原子與銅原子在其介面上互相滲透，初期Sn-Cu合金的結構為良好的Cu6Sn5﹐其厚度為1-3μ，為回流焊爐子內的關鍵階段，因為裝配上的溫度梯度必須最小，TAL必須保持在錫膏製造商所規(guī)定的參數(shù)之內。産品的峰值溫度也是在這個階段達成的（裝配達到爐內的最高溫度），時間如果過長就會繼續(xù)生成Cu3Sn的不良IMC。ENIG表面處理的板子，初期則會生成Ni3Sn4的IMC，不會有Cu6Sn5。
必須小心的是，不要超過板上任何溫度敏感元件的最高溫度和加熱速率。例如，一個典型符合無鉛製程的坦電容具有的最高溫度爲260°C只能持續(xù)最多10秒鐘。理想狀況下應該讓裝配上所有的焊點同時、同速率達到相同的峰值溫度，以保證所有零件在爐內經(jīng)歷相同的環(huán)境。
回流焊的峰值溫度，通常取決于焊料的熔點溫度及組裝零件所能承受的溫度。一般的峰值溫度應該比錫膏的正常熔點溫度要高出約25~30°C，才能順利的完成焊接作業(yè)。如果低于此溫度，則極有可能會造成冷焊與潤濕不良的缺點。
冷卻區(qū)(Cooling zone)
在回流焊區(qū)之后，產(chǎn)品冷卻，固化焊點，將為后面
PCBA裝配的工序淮備。控制冷卻速度也是關鍵的，冷卻太快可能損壞裝配，冷卻太慢將增加TAL，可能造成脆弱的焊點。
一般認為冷卻區(qū)應迅速降溫使焊料凝固。迅速冷卻也可以得到較細的合晶結構，提高焊點的強度，使焊點光亮，表面連續(xù)并呈彎月面狀，但缺點就是較容易生成孔洞，因為有些氣體來不及逃逸。
相反的，在熔點以上緩慢的冷卻則容易導致過量的介金屬化合物產(chǎn)生及較大合晶顆粒，降低抗疲勞強度。採用比較快的冷卻速率可以有效嚇阻介金屬化合物的生成。
在加速冷卻速度的同時須注意到零件耐衝擊的能力，一般的電容所容許的最大冷卻速率大約是4°C/min。過快的冷卻速率很可能會引起應力影響而產(chǎn)生龜裂(Crack)。也可能引起焊墊與PCB或焊墊與焊點的剝離，這是由于零件、焊料、與焊點各擁有不同的熱膨脹系數(shù)及收縮率的結果。一般建議的降溫速度為2~5°C/s之間。
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